۱- معرفی:
اسپاترینگ پدیده فیزیکی‌ای است که در آن ماده منبع تحت اثر برخورد پلاسما به اتم‌هایی تبدیل می‌شود و سپس بر روی سطح مورد نظر لایه‌ای نانو متری یا میکرومتری از ماده هدف ایجاد می‌کند. مانند سایر روش‌های لایه‌نشانی فیزیکی تحت شرایط خلا، روش کندوپاش نیز شامل سه مرحله‌ی تبخیر ماده‌ی منبع، انتقال بخار از منبع به جسم و تشکیل لایهی نازک روی جسم با انباشت بخار منبع مورد نظر است. شرکت فنون ریزتراشه میزان با بهره‌گیری از تجهیزات پیشرفته‌ی لایه‌نشانی کندوپاش به دو روش RF magnetron sputtering و DC قادر به لایه‌نشانی انواع لایه‌های نازک فلزی و غیرفلزی است.
۲- توضیحات بیشتر:
لایه‌نشانی (Deposition) به روش اسپاترینگ، روشی است که در آن بخار اتم‌های ماده‌ی منبع بر روی سطح مورد نظر می‌نشیند و لایه نازکی در حد نانومتر یا میکرومتر از ماده منبع را بر روی آن ایجاد می‌کند. در این فرآیند اتم‌های جدا شده از سطح ماده هدف شکل گازی دارند. این اتم‌ها که ناپایداراند تمایل دارند تا روی یک سطح در محفظه خلاء قرار بگیرند. اتم‌های قرار گرفته روی زیرلایه، لایه‌ای با ضخامت چند نانومتر تا چند میکرومتر ایجاد می‌کنند که به آن لایه نازک (Thin Film) گفته می‌شود. لایه‌نشانی به روش اسپاترینگ به روش‌های گوناگونی صورت می‌پذیرد. از متد‌های لایه‌نشانی به روش اسپاترینگ می‌توان به لایه‌نشانی بخار فیزیکی، لایه‌نشانی اسپاترینگ دیودی، اسپاترینگ مغناطیسی، اسپاترینگ واکنشی، اسپاترینگ DC و یا RF و اسپاترینگ مغناطیسی با پالس‌های قدرت بالا اشاره کرد.
۱-۲- لایه‌نشانی فلز به روش اسپاترینگ مغناطیسی DC (مگنترون DC):
لایه‌نشانی به روش اسپاترینگ با استفاده از منابع تغذیه متعددی امکان‌پذیر است. نوع منبع تغذیه بسته به ماده منبع تعیین می‌شود. برای لایه‌نشانی فلزات و مواد رسانا به روش اسپاترینگ از منبع DC استفاده می‌شود. در فرآیند اسپاترینگ یون‌های مثبت به سمت هدف شتاب می‌گیرند و موجب کنده شدن اتم‌های منبع هدف می‌شوند. با قرار دادن تعدادی آهن‌ربا در پشت کاتد، الکترون‌های آزاد در میدان مغناطیسی این آهن‌ربا‌ها درست در نزدیکی سطح تارگت به دام می‌افتند. در این روش الکترون‌ها به زیرلایه برخورد نمی‌کنند. بلکه با افزایش الکترون‌های آزاد در نزدیکی هدف باعث افزایش احتمال یونیزه شدن اتم‌های خنثی گاز چند برابر افزایش یابد. بدین صورت ذرات بیشتری از سطح هدف جدا شده و نرخ لایه‌نشانی افزایش می‌یابد. شرکت فنون ریزتراشه میزان با بهره‌گیری از دستگاه اسپاترینگ مغناطیسی DC قادر به لایه‌نشانی NiCr, Ti, Pt, Cu, Au, Ag, Al, Cr و Niبر روی زیرلایه‌هایی با ابعادی تا حدود ۶ اینچ و جنس های مختلف از جمله شیشه، سیلیکون، فلز، آلومینا و عایق است. هم‌چنین امکان لایه‌نشانی با ضخامت مورد نظر در توان ها و فشارهای مختلف وجود دارد. علاوه بر این لایه‌نشانی یکنواخت در دایره‌ای به قطر ۱۵ سانتی‌متر از قابلیت‌های دستگاه اسپاترینگ مغناطیسی DC موجود در شرکت فنون ریزتراشه میزان است. لایه‌نشانی توسط هدف‌های ۲ و یا ۴ اینچی صورت می‌گیرد.
۲-۲- لایه‌نشانی غیرفلز به روش اسپاترینگ مغناطیسی RF (مگنترون RF):
در صورتی که ماده هدف در منبع از نظر الکتریکی نارسانا باشد یا دارای رسانایی الکتریکی کمی داشته باشد، نمی‌توان از اسپاترینگ با منبع DC استفاده کرد. همانطور که گفته شد در فرایند اسپاترینگ یون‌های مثبت به سمت هدف شتاب می‌گیرند و موجب کنده شدن اتم‌های منبع هدف می‌شوند. در صورتی که هدف نارسانا باشد یا رسانایی کمی داشته باشد، بار الکتریکی در سطح انباشته می‌شود و به دلیل اختلال به وجود آمده نرخ لایه‌نشانی کاهش می‌یابد و یا حتی ممکن است اسپاترینگ متوقف شود. با استفاده از منبع تغذیه RF، پلاریته پتانسیل الکتریکی در هر دوره تناوب تغییر می‌کند و این امر موجب تخلیه بارهای الکتریکی جمع شده روی سطح هدف می‌شود. در نتیجه سطح منبع هدف به آسانی مورد هدف الکترون‌ها می‌شود و اسپاترینگ صورت می‌گیرد. شرکت فنون ریزتراشه میزان با بهره‌گیری از دستگاه اسپاترینگ مغناطیسی RF قادر به لایه‌نشانی SnO2, ZnO , Si3N4, SiO2, Ga2O3, TiO2, ZrO2, CuO, WO3, V2O5, MoO3 ITO و Al2Oبر روی زیرلایه‌هایی با ابعادی تا حدود ۶ اینچ و جنس های مختلف از جمله شیشه، سیلیکون، فلز، آلومینا و عایق است. هم‌چنین امکان لایه‌نشانی با ضخامت مورد نظر در توان ها و فشارهای مختلف وجود دارد. علاوه بر این لایه‌نشانی یکنواخت در دایره‌ای به قطر ۱۵ سانتی‌متر از قابلیت‌های دستگاه اسپاترینگ مغناطیسی RF موجود در شرکت فنون ریزتراشه میزان است. لایه‌نشانی توسط هدف‌های ۲ و یا ۴ اینچی صورت می‌گیرد.
جهت ثبت سفارش، اطلاعات درخواست شده را در فرم مربوطه پر کنید.
